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              硅靶

                產品說明

              以等離子體為熱源將相應粉末加熱到熔融或半熔融狀態并高速沖擊背管表面形成致密涂層,從而制備出高純度、

              高致密度Si靶材靶材。

              項目

              參數

              檢測手段

              純度 (%)

              ≥99.99


              密度 (%)

              ≥2.2 

              阿基米德密度儀

              雜質含量 (ppm)


              Fe +Al+Ca≤50

              B:   ≤100

              O≤2000

              N≤500

              雜質總和(O、N、B除外)≤100

              ICP 


              電阻率 (Ω?cm)

              ≤10

              四探針電阻率儀


                靶材尺寸

              按照圖紙要求加工

                背管材質

              選用304/316L不銹鋼(無磁)

                應用領域

              主要用于Low-E鍍膜玻璃,薄膜太陽能電池電極膜系,TFT-LCD,半導體電子。

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